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MJD350TF
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
MJD350TF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -300 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 1.56 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 240

额定功率Max 1.56 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1560 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD350TF引脚图与封装图
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在线购买MJD350TF
型号 制造商 描述 购买
MJD350TF Fairchild 飞兆/仙童 PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 搜索库存
替代型号MJD350TF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJD350TF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252 PNP -300V -500mA 1560mW

当前型号

PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

当前型号

型号: KSH350TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: D-Pak PNP -300V -500mA

类似代替

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3Pin2+Tab DPAK T/R

MJD350TF和KSH350TM的区别

型号: MJD350T4G

品牌: 安森美

封装: TO-252 PNP -300V -500mA 1560mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MJD350T4G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFE

MJD350TF和MJD350T4G的区别

型号: MJD350T4

品牌: 意法半导体

封装: TO252 PNP -300V -500mA 15000mW

功能相似

STMICROELECTRONICS  MJD350T4  单晶体管 双极, PNP, 300 V, 15 W, -500 mA, 30 hFE

MJD350TF和MJD350T4的区别