MJE200TSTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MJE200TSTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V
额定功率Max 15 W
耗散功率Max 15 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
外形尺寸
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJE200TSTU引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJE200TSTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJE200TSTU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans GP BJT NPN 25V 5A 3Pin3+Tab TO-126 Rail | 搜索库存 |
替代型号MJE200TSTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJE200TSTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-126 NPN 25V 5A | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 25V 5A 3Pin3+Tab TO-126 Rail | 当前型号 |
| 型号： MJE200STU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-126 NPN 25V 5A 15000mW | 类似代替 | MJE200 Series 25V 5A 15W SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126 | MJE200TSTU和MJE200STU的区别 |