
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -300 mA
漏源极电压Vds 20.0 V
连续漏极电流Ids 300 mA
上升时间 1.00 ns
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23
封装 SOT-23
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMBF0202PLT1 | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 300毫安, 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MMBF0202PLT1 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-23 -20V -300mA | 当前型号 | 功率MOSFET 300毫安, 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts | 当前型号 | |
型号: NTR0202PLT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 P-Channel -20V 400mA 550mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTR0202PLT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 400 mA, -20 V, 800 mohm, -10 V, -1.9 V | MMBF0202PLT1和NTR0202PLT1G的区别 | |
型号: NTR0202PLT1 品牌: 安森美 封装: SOT-23 P-Channel 20V 400mA 550mΩ | 功能相似 | -25A,-30V功率MOSFET | MMBF0202PLT1和NTR0202PLT1的区别 | |
型号: NTR0202PLT3G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 P-Channel 20V 400mA 550mohms 70pF | 功能相似 | 功率MOSFET -20 V, -400毫安, P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package | MMBF0202PLT1和NTR0202PLT3G的区别 |