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MMBF0202PLT1

MMBF0202PLT1

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 主动器件

功率MOSFET 300毫安, 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.9Ω @200mA,10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.4V 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| •Low RDSon Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT–23 Surface Mount Package Saves Board Space 描述与应用| •低的RDS(on) 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


MMBF0202PLT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -300 mA

漏源极电压Vds 20.0 V

连续漏极电流Ids 300 mA

上升时间 1.00 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MMBF0202PLT1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MMBF0202PLT1 ON Semiconductor 安森美 功率MOSFET 300毫安, 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts 搜索库存
替代型号MMBF0202PLT1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBF0202PLT1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 -20V -300mA

当前型号

功率MOSFET 300毫安, 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts

当前型号

型号: NTR0202PLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 P-Channel -20V 400mA 550mohms

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NTR0202PLT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 400 mA, -20 V, 800 mohm, -10 V, -1.9 V

MMBF0202PLT1和NTR0202PLT1G的区别

型号: NTR0202PLT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 P-Channel 20V 400mA 550mΩ

功能相似

-25A,-30V功率MOSFET

MMBF0202PLT1和NTR0202PLT1的区别

型号: NTR0202PLT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 P-Channel 20V 400mA 550mohms 70pF

功能相似

功率MOSFET -20 V, -400毫安, P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package

MMBF0202PLT1和NTR0202PLT3G的区别