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MNR35J5RJ511

MNR35J5RJ511

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 被动器件

Res Ntwk Array 510Ω 0.063W1/16W 5% 1206 8Element SMD

510 Ohm ±5% 62.5mW Power Per Element Bussed Resistor Network/Array ±200ppm/°C 2512 6432 Metric, Convex, Long Side Terminals


得捷:
RES ARRAY 8 RES 510 OHM 2512


安富利:
RES NTWK ARRAY 510 OHM 1/16W 5% 1206 8 ELEMENT SMD


MNR35J5RJ511中文资料参数规格
技术参数

触点数 10

额定电压DC 50.0 V

容差 ±5 %

额定功率 63.0 mW

电阻 510 Ω

阻值偏差 ±5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装公制 6432

封装 2512

外形尺寸

长度 6.40 mm

宽度 3.10 mm

高度 550 µm

封装公制 6432

封装 2512

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

制造应用 汽车级 AEC-Q200

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MNR35J5RJ511引脚图与封装图
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