MPSL51中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 40 @50mA, 5V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
MPSL51引脚图与封装图
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在线购买MPSL51
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSL51 | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管（ PNP硅） Amplifier TransistorPNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPSL51
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSL51 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | 放大器晶体管（ PNP硅） Amplifier TransistorPNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： BCW65ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 32V 800mA 300mW | 功能相似 | BCW 系列 32 V 800 mA 表面贴装 NPN 硅 通用 晶体管 - SOT-23 | MPSL51和BCW65ALT1G的区别 |
| 型号： MPSA27RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 60V 500mA 625mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MPSA27RLRAG 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 625 mW, 500 mA, 10000 hFE | MPSL51和MPSA27RLRAG的区别 |
| 型号： 2N2369 品牌： Multicomp 封装： TO-18 NPN 360mW | 功能相似 | MULTICOMP 2N2369 单晶体管 双极, 开关, NPN, 15 V, 500 MHz, 360 mW, 200 mA, 40 hFE | MPSL51和2N2369的区别 |