MPSA56ZL1G中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPSA56ZL1G引脚图与封装图
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在线购买MPSA56ZL1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSA56ZL1G | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 搜索库存 |
替代型号MPSA56ZL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSA56ZL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -80V -500mA 625mW | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
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| 型号： MPSA56G 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -80V -500mA 0.625W | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MPSA56G 晶体管, PNP, 双极性, 80V, TO-92 | MPSA56ZL1G和MPSA56G的区别 |