MMBTA64LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V
额定功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBTA64LT1引脚图与封装图
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在线购买MMBTA64LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTA64LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号MMBTA64LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTA64LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP -30V -500mA | 当前型号 | 达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMBTA64LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -30V -500mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA64LT1G 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 10000 hFE | MMBTA64LT1和MMBTA64LT1G的区别 |
| 型号： MMBTA64 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 Dual P-Channel -30V -1.2A 350mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA64.. 双极性晶体管, PNP, -30V | MMBTA64LT1和MMBTA64的区别 |
| 型号： MMBTA63-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 30V 500mA 300mW | 功能相似 | MMBTA63-7-F 编带 | MMBTA64LT1和MMBTA63-7-F的区别 |