MMBTA92-TP中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
额定电压DC -300 V
额定电流 -300 mA
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 10V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1.12 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
MMBTA92-TP引脚图与封装图
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在线购买MMBTA92-TP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTA92-TP | Micro Commercial Components 美微科 | MMBTA92 系列 300 V 300 mA PNP 硅 高压 晶体管 - SOT-23-3 | 搜索库存 |
替代型号MMBTA92-TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTA92-TP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： TO-236-3 PNP -300V -300mA 300mW | 当前型号 | MMBTA92 系列 300 V 300 mA PNP 硅 高压 晶体管 - SOT-23-3 | 当前型号 |
| 型号： MMBTA92LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -300V -500mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA92LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -300 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 50 hFE | MMBTA92-TP和MMBTA92LT1G的区别 |
| 型号： MMBTA92 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 PNP -300V -500mA 350mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA92 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 25 hFE | MMBTA92-TP和MMBTA92的区别 |
| 型号： MMBTA92LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -300V -500mA 0.3W | 功能相似 | 高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP Silicon | MMBTA92-TP和MMBTA92LT3G的区别 |