MPSA13RLRMG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPSA13RLRMG引脚图与封装图
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在线购买MPSA13RLRMG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSA13RLRMG | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPSA13RLRMG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSA13RLRMG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 30V 500mA 625mW | 当前型号 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MPSA13G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 30V 500mA 625mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MPSA13G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 625 mW, 500 mA, 10000 hFE | MPSA13RLRMG和MPSA13G的区别 |
| 型号： MPSA13RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 30V 500mA 625mW | 类似代替 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | MPSA13RLRMG和MPSA13RLRAG的区别 |
| 型号： KSP13TA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 30V 500mA 625mW | 功能相似 | KSP13 系列 30 V 500 mA 通孔 达林顿 晶体管 - TO-92-3 | MPSA13RLRMG和KSP13TA的区别 |