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MPSA05RLRMG

MPSA05RLRMG

数据手册.pdf

放大器晶体管 Amplifier Transistors

Implement this NPN GP BJT from to add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit design. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 4 V. Its maximum power dissipation is 625 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 4 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

MPSA05RLRMG中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MPSA05RLRMG引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MPSA05RLRMG ON Semiconductor 安森美 放大器晶体管 Amplifier Transistors 搜索库存
替代型号MPSA05RLRMG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MPSA05RLRMG

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-92 NPN 60V 500mA 625mW

当前型号

放大器晶体管 Amplifier Transistors

当前型号

型号: MPSA05RLRM

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 60V 500mA

完全替代

放大器晶体管 Amplifier Transistors

MPSA05RLRMG和MPSA05RLRM的区别

型号: MPSA05G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 60V 500mA 625mW

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型号: MPSA05RLRAG

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 60V 500mA 625mW

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