
频率 250 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
热阻 83.3℃/W RθJC
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MPS2222G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 NPN 30V 600mA 625mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MPS2222G 双极晶体管 | 当前型号 | |
型号: MPS2222RLRPG 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 30V 600mA 625mW | 完全替代 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | MPS2222G和MPS2222RLRPG的区别 | |
型号: MPS2222RLRA 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 30V 600mA | 完全替代 | 通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon | MPS2222G和MPS2222RLRA的区别 | |
型号: MPS2222RLRM 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 30V 600mA | 完全替代 | 通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon | MPS2222G和MPS2222RLRM的区别 |