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MMDT3904V-TP

MMDT3904V-TP

数据手册.pdf

SOT-563 NPN 40V 0.2A

Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 40V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-563


得捷:
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-563 T/R


Win Source:
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563 / Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 40V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-563


MMDT3904V-TP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 200 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MMDT3904V-TP引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMDT3904V-TP
型号 制造商 描述 购买
MMDT3904V-TP Micro Commercial Components 美微科 SOT-563 NPN 40V 0.2A 搜索库存
替代型号MMDT3904V-TP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMDT3904V-TP

品牌: Micro Commercial Components 美微科

封装: SOT-563 NPN 40V 200mA

当前型号

SOT-563 NPN 40V 0.2A

当前型号

型号: MMDT3904VC-7

品牌: 美台

封装: SOT-563 NPN 40V 200mA 200mW

完全替代

MMDT3904 系列 40 V 0.2 A 双 NPN 小信号 晶体管 - SOT-563

MMDT3904V-TP和MMDT3904VC-7的区别

型号: DST3904DJ-7

品牌: 美台

封装: SOT-963 NPN 300mW

功能相似

DST3904DJ-7 编带

MMDT3904V-TP和DST3904DJ-7的区别

型号: DST3946DPJ-7

品牌: 美台

封装: SOT-963 NPN+PNP 0.3W

功能相似

Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A Automotive 6Pin SOT-963 T/R

MMDT3904V-TP和DST3946DPJ-7的区别