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MPSA42-AP

TO-92 NPN 300V 0.3A

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 625 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

MPSA42-AP中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 10V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Ammo Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MPSA42-AP引脚图与封装图
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MPSA42-AP Micro Commercial Components 美微科 TO-92 NPN 300V 0.3A 搜索库存