MRF8S19260HSR6

Freescale 飞思卡尔主动器件

RF MOSFET Transistors 65V N-CH 1960MHz

RF Mosfet LDMOS Dual 30 V 1.6 A 1.99GHz 18.2dB 74W NI1230S-8

得捷:
RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 9-Pin Case 375J-02 T/R

Win Source:
RF Power Field Effect Transistors

MRF8S19260HSR6中文资料参数规格

技术参数

频率 1.99 GHz

无卤素状态 Halogen Free

阈值电压 1.8 V

漏源击穿电压 65 V

输出功率 74 W

增益 18.2 dB

测试电流 1.6 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 30 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 NI-1230S-8

外形尺寸

封装 NI-1230S-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MRF8S19260HSR6引脚图与封装图

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