MMBT3416
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBT3416中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 500 mA
极性 N-Channel, NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 75
最大电流放大倍数hFE 225
额定功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT3416引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MMBT3416
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT3416 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 N-Channel 50V 500mA | 当前型号 | 小信号通用晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MMBT3904LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT3904LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 300 hFE | MMBT3416和MMBT3904LT1G的区别 |
| 型号： MMBT2484LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 60V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2484LT1G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 225 mW, 100 mA, 250 hFE | MMBT3416和MMBT2484LT1G的区别 |
| 型号： MMBT6429LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6429LT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE | MMBT3416和MMBT6429LT1G的区别 |