MT47H128M8CF-3:H
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT47H128M8CF-3:H中文资料参数规格
技术参数
工作电压 1.80 V
供电电流 115 mA
位数 8
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 60
封装 FBGA-60
外形尺寸
封装 FBGA-60
物理参数
工作温度 0℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MT47H128M8CF-3:H引脚图与封装图 
MT47H128M8CF-3:H引脚图
MT47H128M8CF-3:H封装图
MT47H128M8CF-3:H封装焊盘图
在线购买MT47H128M8CF-3:H
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT47H128M8CF-3:H | Micron 镁光 | DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | 搜索库存 |
替代型号MT47H128M8CF-3:H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT47H128M8CF-3:H 品牌： Micron 镁光 封装： FBGA | 当前型号 | DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | 当前型号 |
| 型号： MT47H128M8CF-3:H TR 品牌： 镁光 封装： 60-TFBGA | 完全替代 | DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60Pin FBGA T/R | MT47H128M8CF-3:H和MT47H128M8CF-3:H TR的区别 |
| 型号： MT47H128M8SH-25E:M 品牌： 镁光 封装： FBGA-60 | 类似代替 | MT47H128M8SH-25E:M 编带 | MT47H128M8CF-3:H和MT47H128M8SH-25E:M的区别 |