锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MMBT2484
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2484  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 350 mW, 100 mA, 20 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN 60 V 100 mA - 350 mW Surface Mount SOT-23-3


得捷:
TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Jameco:
Transistor General Purpose BJT NPN 60 Volt 0.1 Amp 3-Pin SOT-23 Tape And Reel


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MMBT2484系列 60 V 100 mA NPN 通用 放大器 - SOT-23


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2484  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 60 V, 350 mW, 100 mA, 20 hFE


Win Source:
TRANS NPN 60V 0.1A SOT-23


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN GP SOT-23


MMBT2484中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 100 @10µA, 5V

最大电流放大倍数hFE 500

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 20

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT2484引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBT2484
型号 制造商 描述 购买
MMBT2484 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2484  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 350 mW, 100 mA, 20 hFE 搜索库存
替代型号MMBT2484
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT2484

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 60V 100mA 350mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2484  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 350 mW, 100 mA, 20 hFE

当前型号

型号: MMBT2484LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 60V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT2484LT1G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 225 mW, 100 mA, 250 hFE

MMBT2484和MMBT2484LT1G的区别

型号: MMBT6429LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 200mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT6429LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE

MMBT2484和MMBT6429LT1G的区别

型号: MMBT6429LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 50V 200mA 300mW

功能相似

放大器晶体管( NPN硅) Amplifier TransistorsNPN Silicon

MMBT2484和MMBT6429LT1的区别