MMBTA05
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBTA05中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
额定功率 350 mW
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBTA05引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBTA05
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTA05 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA05 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBTA05
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTA05 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 60V 500mA 350mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA05 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE | 当前型号 |
| 型号： MMBT6429LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6429LT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE | MMBTA05和MMBT6429LT1G的区别 |
| 型号： MMBTA05LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 60V 96.1A 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA05LT1G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 100 hFE | MMBTA05和MMBTA05LT1G的区别 |
| 型号： MMBTA05-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 NPN 60V 100mA 350mW | 功能相似 | 三极管 | MMBTA05和MMBTA05-7-F的区别 |