MRF157

M/A-Com 主动器件

线性射频功率MOSFET 600W ，以80MHz的 Linear RF Power MOSFET 600W, to 80MHz

RF Mosfet N-Channel 50V 800mA 80MHz 21dB 600W 368-03, Style 2

得捷:
FET RF 125V 80MHZ 368-03 1=1PC

贸泽:
RF MOSFET Transistors 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 125V 60A 3-Pin Case 368-03

MRF157中文资料参数规格

技术参数

频率 80 MHz

耗散功率 1350 W

阈值电压 3 V

漏源击穿电压 125 V

输出功率 600 W

增益 21 dB

测试电流 800 mA

输入电容Ciss 1800pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 1350000 mW

额定电压 125 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 368-03

外形尺寸

封装 368-03

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

MRF157引脚图与封装图

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MRF157	M/A-Com	线性射频功率MOSFET 600W ，以80MHz的 Linear RF Power MOSFET 600W, to 80MHz	搜索库存