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MMST5551-TP

MMST5551-TP

数据手册.pdf

SOT-323 NPN 160V 0.2A

If your circuit"s specifications require a device that can handle high levels of voltage, " NPN general purpose bipolar junction transistor is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 160 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

MMST5551-TP中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 160 V

额定电流 200 mA

极性 NPN

耗散功率 200 mW

增益频宽积 300 MHz

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 1.35 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMST5551-TP引脚图与封装图
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在线购买MMST5551-TP
型号 制造商 描述 购买
MMST5551-TP Micro Commercial Components 美微科 SOT-323 NPN 160V 0.2A 搜索库存
替代型号MMST5551-TP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMST5551-TP

品牌: Micro Commercial Components 美微科

封装: SC-70 NPN 160V 200mA 200mW

当前型号

SOT-323 NPN 160V 0.2A

当前型号

型号: MMST5551-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-323 NPN 160V 200mA 200mW

类似代替

Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/R

MMST5551-TP和MMST5551-7-F的区别

型号: MMST5551-TP-HF

品牌: 美微科

封装:

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MMST5551-TP和MMST5551-TP-HF的区别