MBRT20060R

GeneSiC Semiconductor 分立器件

GENESIC SEMICONDUCTOR MBRT20060R 二极管模块, 硅, 60 V, 200 A, 800 mV, 双共阳极, MBRT2 Series

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 60V 200A DC Chassis Mount Three Tower

得捷:
DIODE MODULE 60V 100A 3TOWER

贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers 60V 200A Schottky Recovery

e络盟:
二极管模块, 硅, 60 V, 200 A, 800 mV, 双共阳极, MBRT2 Series

艾睿:
Diode Schottky 60V 200A 3-Pin3+Tab Three Tower

Newark:
Diode Module, Silicon, 60 V, 200 A, 800 mV, Dual Common Anode

Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Rev Config - 60V - 200A - Three Tower

MBRT20060R中文资料参数规格

技术参数

正向电压 800mV @100A

正向电流 200 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 1.5 kA

正向电压Max 800 mV

正向电流Max 200 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温 -40℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

物理参数

工作温度 40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

MBRT20060R引脚图与封装图

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