频率 650 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 60 @4mA, 10V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MPSH11 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel 25V 50mA 0.35W | 当前型号 | NPN晶体管RF NPN RF Transistor | 当前型号 | |
型号: BFS17P 品牌: 英飞凌 封装: SOT-23/SC-59 NPN | 功能相似 | BFS17P NPN三极管 25V 25mA 2.5GHz 20~150 400mV/0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 MC 宽带放大器 | MPSH11和BFS17P的区别 | |
型号: MMBT918 品牌: NTE Electronics 封装: | 功能相似 | t-Npn Si- Vhf | MPSH11和MMBT918的区别 | |
型号: BFS17 品牌: Vishay Intertechnology 封装: | 功能相似 | Transistor, | MPSH11和BFS17的区别 |