MRF10502
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M/A-Com
分立器件
MRF10502中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1460 W
输出功率 500 W
击穿电压集电极-发射极 65 V
增益 9 dB
最小电流放大倍数hFE 20 @5A, 5V
额定功率Max 500 W
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 3
封装 355J-02
外形尺寸
封装 355J-02
物理参数
工作温度 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MRF10502引脚图与封装图
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在线购买MRF10502
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF10502 | M/A-Com | 微波脉冲功率型硅NPN晶体管500W （峰值） ， 1025-1150MHz Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor 500W peak, 1025-1150MHz | 搜索库存 |
替代型号MRF10502
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF10502 品牌： M/A-Com 封装： 355J-02 1460W | 当前型号 | 微波脉冲功率型硅NPN晶体管500W （峰值） ， 1025-1150MHz Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor 500W peak, 1025-1150MHz | 当前型号 |
| 型号： AM1011-500 品牌： 意法半导体 封装： | 功能相似 | 射频与微波晶体管航空电子应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS | MRF10502和AM1011-500的区别 |
| 型号： AVD550 品牌： Advanced Semiconductor 封装： | 功能相似 | RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN | MRF10502和AVD550的区别 |