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MMBTA63
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

MMBTA63 PNP三极管 -30V -1.2A 125MHz 10000 -1.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2U

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −30V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -1.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 125MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 10000 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA. 描述与应用| PNP达林顿 该设备是专为要求极高的电流为800毫安的电流增益的应用而设计。

MMBTA63中文资料参数规格
技术参数

频率 125 MHz

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -1.20 A

额定功率 350 mW

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 125MHz Min

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBTA63引脚图与封装图
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在线购买MMBTA63
型号 制造商 描述 购买
MMBTA63 Fairchild 飞兆/仙童 MMBTA63 PNP三极管 -30V -1.2A 125MHz 10000 -1.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2U 搜索库存
替代型号MMBTA63
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBTA63

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 -30V -1.2A 350mW

当前型号

MMBTA63 PNP三极管 -30V -1.2A 125MHz 10000 -1.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2U

当前型号

型号: MMBTA63LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -30V -500mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA63LT1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 5000 hFE

MMBTA63和MMBTA63LT1G的区别

型号: MMBTA63-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23-3 PNP 30V 500mA 300mW

功能相似

MMBTA63-7-F 编带

MMBTA63和MMBTA63-7-F的区别