MMBTA42LT1
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
MMBTA42LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
集电极击穿电压 300 V min
击穿电压集电极-发射极 300 V
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
MMBTA42LT1引脚图与封装图
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在线购买MMBTA42LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTA42LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | 搜索库存 |
替代型号MMBTA42LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTA42LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 300V 500mA | 当前型号 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | 当前型号 |
| 型号： MMBTA42LT3 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 300V 500mA | 完全替代 | SOT-23 NPN 300V 0.05A | MMBTA42LT1和MMBTA42LT3的区别 |