MMBT5550
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBT5550中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
额定电压DC 140 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 140 V
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT5550引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBT5550
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT5550 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5550 单晶体管 双极, NPN, 140 V, 50 MHz, 225 mW, 600 mA, 60 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBT5550
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT5550 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 140V 600mA 350mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5550 单晶体管 双极, NPN, 140 V, 50 MHz, 225 mW, 600 mA, 60 hFE | 当前型号 |
| 型号： KST5550MTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 140V 600mA 350mW | 类似代替 | KST5550 系列 140 V 0.6 A SOT-23 表面贴装 双极晶体管 | MMBT5550和KST5550MTF的区别 |
| 型号： MMBT5550LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 140V 600mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5550LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 225 mW, 600 mA, 250 hFE | MMBT5550和MMBT5550LT1G的区别 |
| 型号： MMBT6429LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6429LT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE | MMBT5550和MMBT6429LT1G的区别 |