MMBTH81
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBTH81中文资料参数规格
技术参数
频率 600 MHz
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -50.0 mA
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBTH81引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBTH81
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTH81 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTH81 晶体管 双极-射频, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, 60 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBTH81
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTH81 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 PNP -20V -50mA 225mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTH81 晶体管 双极-射频, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, 60 hFE | 当前型号 |
| 型号： MMBTH81_D87Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-236-3 | 类似代替 | 射频RF双极晶体管 PNP RF Transistor | MMBTH81和MMBTH81_D87Z的区别 |
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