MMBFJ111
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBFJ111中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 35.0 V
额定电流 20.0 mA
击穿电压 -35.0 V
漏源极电阻 30 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 35.0 V
栅源击穿电压 35 V
连续漏极电流Ids 20.0 mA
击穿电压 35 V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.04 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBFJ111引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBFJ111
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBFJ111 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ111 晶体管, JFET, JFET, -35 V, 20 mA, -10 V, SOT-23, JFET | 搜索库存 |
替代型号MMBFJ111
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBFJ111 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-323 N-Channel 35V 20mA 30ohms 350mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ111 晶体管, JFET, JFET, -35 V, 20 mA, -10 V, SOT-23, JFET | 当前型号 |
| 型号： SST111 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23 | 类似代替 | JFET 55V 20mA | MMBFJ111和SST111的区别 |
| 型号： PMBFJ111,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 | 功能相似 | PMBFJ111,215 N通道 JFET 晶体管 40 V, 3引脚 TO-236AB封装 min. 20mA | MMBFJ111和PMBFJ111,215的区别 |
| 型号： SST111-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23 | 功能相似 | JFET 55V 20mA | MMBFJ111和SST111-E3的区别 |