MMBFJ110
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBFJ110中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 18 Ω
耗散功率 460 mW
漏源击穿电压 25 V
栅源击穿电压 25 V
击穿电压 25 V
额定功率Max 460 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 460 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBFJ110引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBFJ110
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBFJ110 | Fairchild 飞兆/仙童 | N 通道 JFET，Fairchild Semiconductor ### JFET 晶体管 一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | 搜索库存 |
替代型号MMBFJ110
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBFJ110 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-236-3 460mW | 当前型号 | N 通道 JFET，Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | 当前型号 |
| 型号： SST5484-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-236-3 N-Channel 350mW | 功能相似 | JFET P-CH 35V 1mA SOT-23 | MMBFJ110和SST5484-T1-E3的区别 |
| 型号： SST5485-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-236-3 N-Channel 10mA 175Ω 350mW | 功能相似 | JFET P-CH 35V 4mA SOT-23 | MMBFJ110和SST5485-E3的区别 |
| 型号： SST5485-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-236-3 N-Channel 350mW | 功能相似 | JFET P-CH 35V 4mA SOT-23 | MMBFJ110和SST5485-T1-E3的区别 |