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MMBFJ271
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
MMBFJ271中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -50.0 mA

极性 P-Channel

耗散功率 225 mW

栅源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 8.50 mA

击穿电压 30 V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.04 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBFJ271引脚图与封装图
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在线购买MMBFJ271
型号 制造商 描述 购买
MMBFJ271 Fairchild 飞兆/仙童 P 通道 JFET,Fairchild Semiconductor ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。 搜索库存