额定电压DC -40.0 V
额定电流 -16.0 mA
击穿电压 40.0 V
极性 P-Channel
耗散功率 225 mW
漏源极电压Vds 40.0 V
栅源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 mA
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 7pF @15VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMBF5462 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF5462 晶体管, JFET, JFET, 40 V, -4 mA, -16 mA, 9 V, SOT-23, JFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MMBF5462 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-223 P-Channel -40V -16mA 225mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF5462 晶体管, JFET, JFET, 40 V, -4 mA, -16 mA, 9 V, SOT-23, JFET | 当前型号 | |
型号: MMBF5460LT1 品牌: 安森美 封装: SOT-23 P-Channel -40V -10mA 225mW | 功能相似 | MMBF5460LT1 N沟道结型场效应管 40v 1~5mA SOT-23 marking/标记 M6E 高阻抗信号源 | MMBF5462和MMBF5460LT1的区别 | |
型号: MMBF5460LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 P-Channel -40V -10mA 225mW | 功能相似 | JFET - 通用晶体管P通道 JFET - General Purpose Transistor P-Channel | MMBF5462和MMBF5460LT1G的区别 |