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MWI225-12E9

MWI225-12E9

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

分立半导体模块 225 Amps 1200V

IGBT 模块 NPT 三相反相器 1200 V 355 A 1400 W 底座安装 E+


得捷:
IGBT MODULE 1200V 355A 1400W E+


贸泽:
分立半导体模块 225 Amps 1200V


MWI225-12E9中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 14nF @25V

额定功率Max 1400 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 E+

外形尺寸

封装 E+

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MWI225-12E9引脚图与封装图
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