MMBZ5255B
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBZ5255B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 28.0 V
容差 ±5 %
额定功率 350 mW
击穿电压 15.0 V
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 350 mW
测试电流 4.5 mA
稳压值 28 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBZ5255B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBZ5255B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBZ5255B | Fairchild 飞兆/仙童 | MMBZ5255B系列 350 mW 28 V 4.5 mA 表面贴装 齐纳二极管 - SOT-23-3 | 搜索库存 |
替代型号MMBZ5255B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBZ5255B 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 28V 15V | 当前型号 | MMBZ5255B系列 350 mW 28 V 4.5 mA 表面贴装 齐纳二极管 - SOT-23-3 | 当前型号 |
| 型号： MMSZ5255BT1G 品牌： 安森美 封装： SOD-123 28V | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMSZ5255BT1G 齐纳二极管 | MMBZ5255B和MMSZ5255BT1G的区别 |
| 型号： MMBZ5255BLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 28V | 功能相似 | 225mW，MMBZ52 和 SZMMBZ52 系列，On Semiconductor### Zener Diodes, ON Semiconductor | MMBZ5255B和MMBZ5255BLT1G的区别 |
| 型号： MMSZ5255B-7-F 品牌： 美台 封装： SOD-123 28V | 功能相似 | MMSZ5255B-7-F 编带 | MMBZ5255B和MMSZ5255B-7-F的区别 |