MWI50-12E7
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IXYS Semiconductor
分立器件
MWI50-12E7中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 350000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 3.8nF @25V
额定功率Max 350 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 350000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 18
封装 E2
外形尺寸
高度 17 mm
封装 E2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MWI50-12E7引脚图与封装图
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在线购买MWI50-12E7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MWI50-12E7 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 90A 350000mW 18Pin E2 | 搜索库存 |
替代型号MWI50-12E7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MWI50-12E7 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E2 350000mW | 当前型号 | Trans IGBT Module N-CH 1200V 90A 350000mW 18Pin E2 | 当前型号 |
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