MUBW50-12E8
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
MUBW50-12E8中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 3.8nF @25V
额定功率Max 350 W
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 35
封装 E3
外形尺寸
封装 E3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MUBW50-12E8引脚图与封装图
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在线购买MUBW50-12E8
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUBW50-12E8 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 90A 350000mW 24Pin | 搜索库存 |
替代型号MUBW50-12E8
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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