MID400-12E4
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
MID400-12E4中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 17nF @25V
额定功率Max 1700 W
封装参数
封装 Y3-Li
外形尺寸
封装 Y3-Li
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MID400-12E4引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MID400-12E4 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 420A 1700000mW 5Pin Y3-Li | 搜索库存 |