MUBW35-12E7
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IXYS Semiconductor
分立器件
MUBW35-12E7中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 2nF @25V
额定功率Max 225 W
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 24
封装 E2
外形尺寸
封装 E2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MUBW35-12E7引脚图与封装图
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在线购买MUBW35-12E7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUBW35-12E7 | IXYS Semiconductor | MODULE IGBT CBI E2 | 搜索库存 |
替代型号MUBW35-12E7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUBW35-12E7 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E2 | 当前型号 | MODULE IGBT CBI E2 | 当前型号 |
| 型号： BSM50GP120 品牌： 英飞凌 封装： EconoPIM3 | 类似代替 | Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 360000mW 24Pin ECONO3-3 | MUBW35-12E7和BSM50GP120的区别 |
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