MKI75-12E8
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 500000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 5.7nF @25V
额定功率Max 500 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 500000 mW
安装方式 Screw
引脚数 33
封装 E-3
高度 17 mm
封装 E-3
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MKI75-12E8 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 500000mW 33Pin Case E-3 | 搜索库存 |