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MMBTA56LT1HTSA1

MMBTA56LT1HTSA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Design various electronic circuits with this versatile PNP GP BJT from Technologies. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 4 V. Its maximum power dissipation is 330 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 4 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.

MMBTA56LT1HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -800 mA

极性 PNP

耗散功率 0.33 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBTA56LT1HTSA1引脚图与封装图
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在线购买MMBTA56LT1HTSA1
型号 制造商 描述 购买
MMBTA56LT1HTSA1 Infineon 英飞凌 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号MMBTA56LT1HTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MMBTA56LT1HTSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： SOT-23 PNP -80V -800mA 330mW

当前型号

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号： SMBTA56E6327HTSA1

品牌： 英飞凌

封装： SOT-23 PNP 80V 500mA 330mW

类似代替

Infineon SMBTA56E6327HTSA1 , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=80 V, HFE:100, 3引脚 SOT-23封装

MMBTA56LT1HTSA1和SMBTA56E6327HTSA1的区别

型号： SMBTA56E6433HTMA1

品牌： 英飞凌

封装： SOT-23 PNP -80V -500mA

类似代替

Infineon SMBTA56E6433HTMA1 , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=80 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装

MMBTA56LT1HTSA1和SMBTA56E6433HTMA1的区别

型号： MMBTA56LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 PNP -80V -500mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA56LT1G.  双极性晶体管, PNP -80V SOT-23

MMBTA56LT1HTSA1和MMBTA56LT1G的区别