额定电压DC 15.0 V
额定电流 200 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.35 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.97 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMBT2369A | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2369A 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MMBT2369A 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 15V 200mA 225mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2369A 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE | 当前型号 | |
型号: MMBT2369 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 15V 200mA 350mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2369 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 350 mW, 200 mA, 40 hFE | MMBT2369A和MMBT2369的区别 | |
型号: MMBT2369ALT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 15V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2369ALT1G 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE | MMBT2369A和MMBT2369ALT1G的区别 | |
型号: MMBT2369LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 15V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2369LT1G 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE | MMBT2369A和MMBT2369LT1G的区别 |