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MMBT5087
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5087  单晶体管 双极, PNP, -50 V, 40 MHz, 350 mW, -100 mA, 250 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 40MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 250~800 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP General Purpose Amplifier • This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA. 描述与应用| PNP通用放大器 该设备是专为低层次,高增益,低噪声通用放大器应用在集电极电流为50mA。

MMBT5087中文资料参数规格
技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 250 @100µA, 5V

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 250

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT5087引脚图与封装图
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在线购买MMBT5087
型号 制造商 描述 购买
MMBT5087 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5087  单晶体管 双极, PNP, -50 V, 40 MHz, 350 mW, -100 mA, 250 hFE 搜索库存
替代型号MMBT5087
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT5087

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 350mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5087  单晶体管 双极, PNP, -50 V, 40 MHz, 350 mW, -100 mA, 250 hFE

当前型号

型号: MMBT5087LT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -50V -50mA 300mW

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