频率 50 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 60 @250mA, 1V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSW06RLRAG | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MPSW06RLRAG 射频晶体管, NPN, 80V 50MHz TO-92 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSW06RLRAG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 500mA 1000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MPSW06RLRAG 射频晶体管, NPN, 80V 50MHz TO-92 | 当前型号 |
| 型号： MPSW06G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 500mA 1000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MPSW06G 双极晶体管 | MPSW06RLRAG和MPSW06G的区别 |
| 型号： MPSA06 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 80V 500mA 625mW | 类似代替 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPSW06RLRAG和MPSA06的区别 |
| 型号： MPSW06RLRA 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 500mA | 类似代替 | 一瓦放大器晶体管 One Watt Amplifier Transistors | MPSW06RLRAG和MPSW06RLRA的区别 |
