MTD10N10EL
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
电子元器件分类
MTD10N10EL中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 74 ns
输入电容Ciss 741pF @25VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DPAK-252
外形尺寸
封装 DPAK-252
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
MTD10N10EL引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MTD10N10EL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTD10N10EL | ON Semiconductor 安森美 | TMOS E- FET功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount | 搜索库存 |
替代型号MTD10N10EL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTD10N10EL 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | TMOS E- FET功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount | 当前型号 |
| 型号： MTD10N10ELT4 品牌： 安森美 封装： TO-252 100V 10A | 功能相似 | TMOS E- FET功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount | MTD10N10EL和MTD10N10ELT4的区别 |
| 型号： NTD6600NT4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel 100V 12A 118mohms 700pF | 功能相似 | 75A,100V,N沟道MOSFET | MTD10N10EL和NTD6600NT4G的区别 |
| 型号： NTD6600N-1G 品牌： 安森美 封装： TO-251-3 N-CH 100V 12A | 功能相似 | 功率MOSFET的100 V， 12 A， N沟道逻辑电平的DPAK Power MOSFET 100 V, 12 A, N−Channel, Logic Level DPAK | MTD10N10EL和NTD6600N-1G的区别 |