MMBT2222ALT1HTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
MMBT2222ALT1HTSA1中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 330 mW
上升时间 25 ns
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 330 mW
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMBT2222ALT1HTSA1引脚图与封装图
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在线购买MMBT2222ALT1HTSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon 英飞凌 | SMBT2222A 系列 NPN 40 V 600 mA 表面贴装 硅 开关 晶体管 - SOT-23-3 | 搜索库存 |
替代型号MMBT2222ALT1HTSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT2222ALT1HTSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-23 NPN 40V 600mA 330mW | 当前型号 | SMBT2222A 系列 NPN 40 V 600 mA 表面贴装 硅 开关 晶体管 - SOT-23-3 | 当前型号 |
| 型号： SMBT2222AE6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23 NPN 40V 600mA 330mW | 完全替代 | 低集电极 - 发射极饱和电压 Low collector-emitter saturation voltage | MMBT2222ALT1HTSA1和SMBT2222AE6327HTSA1的区别 |
| 型号： FMMT2222ATA 品牌： 威世 封装： TO-236 NPN 40V 600mA | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3Pin SOT-23 T/R | MMBT2222ALT1HTSA1和FMMT2222ATA的区别 |
| 型号： MMBT2222A-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 NPN 40V 600mA 350mW | 功能相似 | 三极管 | MMBT2222ALT1HTSA1和MMBT2222A-7-F的区别 |