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MMBF4093
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 40v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -40v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 8ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -1~-5v 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| •N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabalized amplifiers. Sourced from Process 51. 描述与应用| •N沟道开关 该设备是专为低级别的模拟开关,采样和保持电路斩波stabalized放大器。来源从工艺51。


得捷:
JFET N-CH 40V SOT23-3


欧时:
### N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
JFET N-CH 40V 350MW SOT23


MMBF4093中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 50.0 mA

漏源极电阻 80 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 40.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 mA

击穿电压 40 V

输入电容Ciss 16pF @20VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBF4093引脚图与封装图
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在线购买MMBF4093
型号 制造商 描述 购买
MMBF4093 Fairchild 飞兆/仙童 N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。 搜索库存
替代型号MMBF4093
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBF4093

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-223 N-Channel 40V 50mA 80ohms 350mW

当前型号

N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

当前型号

型号: PMBF4393@215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236

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