MMBF4118
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBF4118中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 280 mA
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
漏源极电压Vds 40.0 V
栅源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 50.0 mA
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 3pF @10VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBF4118引脚图与封装图
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在线购买MMBF4118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBF4118 | Fairchild 飞兆/仙童 | N 通道 JFET，Fairchild Semiconductor ### JFET 晶体管 一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | 搜索库存 |
替代型号MMBF4118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBF4118 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-223 N-Channel -40V 280mA 225mW | 当前型号 | N 通道 JFET，Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | 当前型号 |
| 型号： PMBF4393@215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236 | 类似代替 | PMBF4393@215 | MMBF4118和PMBF4393@215的区别 |
| 型号： PMBF4393,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 250mW | 功能相似 | N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | MMBF4118和PMBF4393,215的区别 |
| 型号： PMBF4391,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 250mW | 功能相似 | N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | MMBF4118和PMBF4391,215的区别 |