MMBFJ175
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBFJ175中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -50.0 mA
击穿电压 30.0 V
漏源极电阻 125 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 225 mW
漏源极电压Vds 30.0 V
栅源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 33.5 mA
击穿电压 30 V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBFJ175引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBFJ175
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBFJ175 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ175. 场效应管, JFET, P沟道 | 搜索库存 |
替代型号MMBFJ175
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBFJ175 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 P-Channel -30V -50mA 125ohms 225mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ175. 场效应管, JFET, P沟道 | 当前型号 |
| 型号： MMBFJ175LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 P-Channel -25V -60mA 225mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBFJ175LT1G. 晶体管, JFET, SOT-23封装 | MMBFJ175和MMBFJ175LT1G的区别 |
| 型号： PMBFJ174,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 P-Channel 300mW | 功能相似 | NXP PMBFJ174,215 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFET | MMBFJ175和PMBFJ174,215的区别 |