额定电压DC -30.0 V
额定电流 25.0 mA
击穿电压 30.0 V
漏源极电阻 250 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 225 mW
漏源极电压Vds 30.0 V
栅源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 13.5 mA
击穿电压 30 V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMBFJ176 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ176 晶体管, JFET, JFET, 30 V, -2 mA, -25 mA, 4 V, SOT-23, JFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MMBFJ176 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 P-Channel -30V 25mA 250ohms 225mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ176 晶体管, JFET, JFET, 30 V, -2 mA, -25 mA, 4 V, SOT-23, JFET | 当前型号 | |
型号: PMBFJ174,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 P-Channel 300mW | 功能相似 | NXP PMBFJ174,215 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFET | MMBFJ176和PMBFJ174,215的区别 | |
型号: PMBFJ175,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 P-Channel 300mW | 功能相似 | NXP PMBFJ175,215 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 70 mA, 6 V, SOT-23, JFET | MMBFJ176和PMBFJ175,215的区别 |