MT48H32M16LFB4-6 AT:C

Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V Automotive 54Pin VFBGA

SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb（32M x 16）并联 54-VFBGA（8x8）

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54VFBGA

艾睿:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V Automotive 54-Pin VFBGA

安富利:
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Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V Automotive 54-Pin VFBGA

MT48H32M16LFB4-6 AT:C中文资料参数规格

技术参数

工作电压 1.80 V

位数 16

存取时间 5 ns

存取时间Max 5ns, 8ns

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT48H32M16LFB4-6 AT:C引脚图与封装图

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