MT41K256M16HA-125 M:E TR
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT41K256M16HA-125 M:E TR中文资料参数规格
技术参数
电源电压 1.283V ~ 1.45V
封装参数
封装 TFBGA-96
外形尺寸
封装 TFBGA-96
物理参数
工作温度 0℃ ~ 95℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
MT41K256M16HA-125 M:E TR引脚图与封装图 
MT41K256M16HA-125 M:E TR引脚图
MT41K256M16HA-125 M:E TR封装图
MT41K256M16HA-125 M:E TR封装焊盘图
在线购买MT41K256M16HA-125 M:E TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT41K256M16HA-125 M:E TR | Micron 镁光 | IC SDRAM 4GBIT 800MHz 96FBGA | 搜索库存 |
替代型号MT41K256M16HA-125 M:E TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT41K256M16HA-125 M:E TR 品牌： Micron 镁光 封装： | 当前型号 | IC SDRAM 4GBIT 800MHz 96FBGA | 当前型号 |
| 型号： AS4C256M16D3L-12BCN 品牌： 联盟记忆 封装： FBGA-96 | 功能相似 | DDR DRAM, 256MX16, CMOS, PBGA96, 9 X 13MM, 1.2MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 | MT41K256M16HA-125 M:E TR和AS4C256M16D3L-12BCN的区别 |
